大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应链造成重(zhòng)大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购(gòu)美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防(fáng)范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙(lóng)与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等(děng)竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多(duō)设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国限制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份(fèn)额(é)提(tí)升，以(yǐ)及(jí)存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入(rù)增长。

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