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　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室依(yī)法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法(fǎ)律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务(wù)进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全(quán)球吃完布洛芬不能吃什么，吃完布洛芬不可以吃的东西存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过美光(guāng)等国(guó)际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美(měi)光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性(xìng)，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的(de)供应优势，公(gōng)司也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美(měi)光在(zài)中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积(jī)设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单(dān吃完布洛芬不能吃什么，吃完布洛芬不可以吃的东西)，设备国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务(wù)占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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