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　　美光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品未通(tōng)过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进什么是人员类型 人员类型有哪些行了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐(yǐn)患，对(duì)我国关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过网络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美(měi)光(guāng)公司(sī)产品进行网络安(ān)全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关(guān)键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安(ān)全法》，网(wǎn什么是人员类型 人员类型有哪些g)络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过(guò)美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上下(xià)游建立(lì)国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三(sān)星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的(de)供应优势，公司也(yě)与国内国(guó)产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到(dào)限制(zhì)，或(huò)将导(dǎo)致下游(yóu)客户(hù)转(zhuǎn)而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的(de)加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额(é)提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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