大家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出(chū)不予(yǔ)通过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安(ān)全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链安全谢娜给刘烨打过几次胎，谢娜和刘烨怀孕过吗，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是(shì)全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在(zài)下游(yóu)市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分(fēn)析(xī)，如果美光在(zài)中国(guó)区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过(guò)薄(báo)膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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