大家好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国(guó)内关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国的三线城市有哪些 排名，中国的三线城市有哪些2022中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵(zūn)守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风(fēng)险，维护(hù中国的三线城市有哪些 排名，中国的三线城市有哪些2022)国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存(cún)储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过(guò)美光(guāng)等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确(què)保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就(jiù)分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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