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筑梦未来是什么意思,锦时筑梦是什么意思 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看一则突发消息(xī)。

  美光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审查

  据网信办消息,日(rì)前,网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法对美光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

  审查发现(xiàn)筑梦未来是什么意思,锦时筑梦是什么意思美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn),对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风(fēng)险,影响我国国家安全。为此(cǐ),网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安(ān)全(quán)审查(chá)的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法规,我国内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应停止采购美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)。

  此次对美光公司(sī)产品进行网络安全(quán)审查,目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危(wēi)害(hài)国(guó)家关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施(shī)安全,是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放,只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求,欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台(tái)产(chǎn)品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

  半(bàn)导体突发(fā)!中(zhōng)国出手:停止采购!

  3月31日,中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网发文称,为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安(ān)全,防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络(luò)安全风险,维护国(guó)家安(ān)全,依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全(quán)法》,网络安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》,对美(měi)光公司(Micron)在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  美光(guāng)是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头,也(yě)是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之一,2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰(fēng)5筑梦未来是什么意思,锦时筑梦是什么意思7%降(jiàng)至2022年约11%。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市(shì)公司中(zhōng),江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供应商。

  美光(guāng)在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降,至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商,采购(gòu)约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示(shì),江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了(le)长期合约,确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性,巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供(gōng)应优势,公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作(z筑梦未来是什么意思,锦时筑梦是什么意思uò)。

  有券商此前(qián)就分(fēn)析,如果美(měi)光在中国区销售受到限制,或将导致下(xià)游客户转而采(cǎi)购(gòu)国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士,国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

  分析称,长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu),同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60:1的深孔,未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或者沟(gōu)槽,催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电子披露,薄(báo)膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75%。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国限制名单,设备国(guó)产(chǎn)化进程加速,看好拓荆科(kē)技(薄膜沉积)等相(xiāng)关(guān)公司份额提(tí)升,以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收(shōu)入增长。

 

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