大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施(shī)安全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应链安(ān)全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风(fēng)险，维护(hù)国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入(rù)来自(zì)中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三大(dà)供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)的(de)稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公(gōng)司(sī)在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区(qū)销(xiāo)售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND头发剪了后悔了大概多久能长回来，3天头发长10厘米秘诀时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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