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　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安(ān)全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施的(de)运营者应(yīng)停止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)危害(hài)国(guó)家(jiā)关键信息基础设(shè)施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外(wài)开放，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场(chǎng)收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(l两只小白兔在衬衫里抖来抖去，老师两只大兔子来回晃ì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星(xīng)、美光、西(xī)部数据(jù)等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆(yu两只小白兔在衬衫里抖来抖去，老师两只大兔子来回晃án)供应(yīng)的(de)稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)两只小白兔在衬衫里抖来抖去，老师两只大兔子来回晃场的供应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光(guāng)在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂(chǎng)或从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大(dà)量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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