大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美(měi)光公(gōng)司(sī)在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络安(ān)全(quán)问题危害国家(jiā)关(guān)键信息基础设施(shī)安全，是维护国(guó)家安(ān)全的必(bì)要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发(fā)文称，为(wèi)保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显别急老师今天晚上是你的人，别急老师今天晚上就是你的了示， 2021年(nián)美光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三(sān)大供(gōng)应商采购金额(é)占比分别是(shì)26.2别急老师今天晚上是你的人，别急老师今天晚上就是你的了8％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供(gōng)应优势，公司(sī)也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合(hé)计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务(wù)占比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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