大家好(hǎo)，来看一则(zé)突发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的(de)产品未(wèi)通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是(shì)防范产品网络安全问题(tí)危害国家(jiā)关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施安全(quán)，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品服(fú)务(wù)进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，诞辰是指活人还是死人，诞辰和生日的区别中国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安(ān)全法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)诞辰是指活人还是死人，诞辰和生日的区别约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大、第二(èr)大和(hé)第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约(yuē)，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿(yán)要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔(kǒng)，未(wèi)来(lái)可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技（薄(báo)膜沉积(jī)）等(děng)相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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