大家(jiā)好，来(lái)看一(yī)则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对(duì)美(měi)光公司在(zài)华销售产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在(zài)较严重网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室依法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查的(de)结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施16英寸是多少厘米，16英寸是多少厘米长。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民(mín)共和(hé)国(guó)国(guó)家安(ān)全法》《中华(huá)人民(mín)共和国(guó)网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品实(shí)施网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从16英寸是多少厘米，16英寸是多少厘米长此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公(gōng)司(sī)披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至(zhì)少已经(jīng)不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大和(hé)第三(sān)大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的(de)供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高的(de)华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

未经允许不得转载：IDC站长站，IDC站长，IDC资讯--IDC站长站 16英寸是多少厘米，16英寸是多少厘米长