大家好，来看一(yī)则(zé)突发(fā)消息。

　　美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法对美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络(luò)安全(quán)审查(chá)，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中(zhōng)国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全(quá自旋量子数计算公式各符号含义，自旋量子数如何计算n)风险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过(guò)美(měi)光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第(dì)三大供应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国(guó)内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司(sī)在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品(p自旋量子数计算公式各符号含义，自旋量子数如何计算ǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

未经允许不得转载：IDC站长站，IDC站长，IDC资讯--IDC站长站 自旋量子数计算公式各符号含义，自旋量子数如何计算