大家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的(de)产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法对(duì)美(měi)光公申请结尾的恳请语怎么写，特此申请的特是什么意思司(sī)在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)供应(yīng)链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安(ān)全问题危害国家关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共和国(guó)国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存(cún)储厂商申请结尾的恳请语怎么写，特此申请的特是什么意思为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储(chǔ)产(chǎn)业链(liàn)上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的(de)供应优势，公司(sī)也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光在中国(guó)区销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或(huò)从(cóng)中受益(yì)。存(cún)储器的(de)生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉(chén)积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资(zī)本(běn)开支(zhī)合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升(shēng)，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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