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　　美光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国(guó)关键信息基一面亲上边一面膜下边的，一面亲上边一面膜下边打扑克础设施供(gōng)应(yīng)链造(zào)成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法作出不(bù)予通过(guò)网络(luò)安全审查的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披露过美(měi)光(guāng)等国际(jì)存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一一面亲上边一面膜下边的，一面亲上边一面膜下边打扑克大、第二大和(hé)第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在(zài)存(cún)储产业链(liàn)上下游(yóu)建(jiàn)立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果美光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的(de)生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入(rù)美国限(xiàn)制(zhì)名(míng)单，设(shè)备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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