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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品(pǐn)进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链造(zào)成(chéng)重(zhòng)大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公(gōng)司产品进行网络安(ān)全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络(luò)安全风险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场(chǎng)收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场5k是多少钱，5k是多少钱人民币(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等(děng)公司(sī)披(pī)露过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波(bō)龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂或(huò)从(cóng)中受益(yì)。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京(jīng)电(diàn)子(zi)披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美(měi)国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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