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　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售产品进(jìn)行(xíng)了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的(de)结(jié)论。按照(zhào)《网络(luò)安全法(fǎ)》等(děng)法律(lǜ)法规(guī)，我国(guó)内(nèi)关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)的(de)运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安(ān)全审(shěn)查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是维(wéi)护国家安(ān)全(quán)的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服务(wù)进入中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国国家安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络(luò)安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入(rù)来(lái)自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降，至(zhì)少已经(jīng)不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告(gào)显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu一切后果自负是什么意思，不然后果自负是什么意思4px;'>一切后果自负是什么意思，不然后果自负是什么意思)券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60一切后果自负是什么意思，不然后果自负是什么意思：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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