大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安全(quán)问题危害国(guó)家关键信息(xī)基础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收sand可数吗还是不可数，thousand可数吗入(rù)来自中国市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大(dà)和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前(qián)就(jiù)分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单(dān)，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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