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　　美光公司在华销(xiāo)售的(de)产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存(cún)在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家(jiā)关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的(de)必要(yào)措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　behaviour可数吗，behaviour是可数名词吗　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文(wén)称，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业(yè)链上下游建立(lì)国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储(chǔ)器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经(jīng)过薄膜(mó)沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份(fèn)额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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